一种拉制8英寸区熔硅单晶热零星及工艺(对于一种拉制8英寸区熔硅单晶热零星及工艺简述)

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一、熔硅热零熔硅热零 《一种拉制8英寸区熔硅单晶热零星及工艺》是单晶对于单晶天津市环欧半导体质料技术有限公司于2011年10月11日恳求的专利，该专利的星及星及恳求号为201110306524X，宣告号为CN102321913A，工艺工艺授权宣告日为2012年1月18日，简述缔造人是种拉制英种拉制英沈浩平、高树良、张雪囡、王彦君、王岩、王遵义、赵宏波、靳立辉、刘嘉。 

二、 《一种拉制8英寸区熔硅单晶热零星及工艺》热零星搜罗线圈以及保温桶，在炉体外双侧与线圈1相同高度的位置上分说设有发生横向磁场的磁场爆发器，在线圈以及保温桶之间设实用于对于熔区热量妨碍反射的反射器。其工艺为：当扩肩直径抵达100毫米时，伸出反射器在硅单晶周围组成一个保温圈，开启磁场爆发器，同时要保障扩肩历程中硅单晶上方的熔区高度为3～5毫米，当硅单晶直径到205毫米时转肩；在等径坚持历程中，炉压为4~8巴。由于接管新妄想的区熔硅单晶热零星以及调解了工艺参数，乐成拉制出8英寸区熔硅单晶，处置了大直径硅单晶成晶难题中的温度晃动以及熔流晃动的下场，防止以及削减了位错的发生，从而知足市场对于8英寸区熔硅单晶的需要。 

三、 2016年12月7日，《一种拉制8英寸区熔硅单晶热零星及工艺》取患上第十八届中国专利优异奖。 

四、 （概述图为《一种拉制8英寸区熔硅单晶热零星及工艺》摘要附图 ）

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